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An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices

机译：使用深沟槽的超结功率器件的改进的结终端设计

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机译：国际观众

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作者
Noblecourt, Sylvain; Morancho, Frédéric; Isoird, Karine; Austin, Patrick; Tasselli, Josiane;
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年度 2015
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1. An Improved Junction Termination Design Employing Shallow Trenches and Field Limiting Rings for Power Devices [J] . Min-Woo Ha, Seung-Chul Lee, Young-Hwan Choi, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2006,第2A期

机译：利用浅沟槽和场限制环的功率器件改进的结终端设计
2. Improving the Performance of Superjunction Devices Having Fixed Charge in Isolation and Termination Oxide Layers [J] . Balaji S., Karmalkar S. IEEE Transactions on Electron Devices . 2008,第1期

机译：改善隔离和端接氧化物层中具有固定电荷的超结器件的性能
3. Optimized Design of Multi-Zone Junction Termination Extension for High Voltage Power Devices (IGBTs) [J] . Kim Bong-Hwan, Park Jin Young, Park Kyung Hee, Journal of nanoscience and nanotechnology . 2017,第8期

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4. An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices [C] . Noblecourt Sylvain, Morancho Frederic, Isoird Karine, International Conference Mixed Design of Integrated Circuits Systems . 2015

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5. Development of Cone Testing Device for Improved Deep Foundation Design Protocols. [D] . Nguyen, Hai Minh. 2017

机译：开发用于改进深层基础设计协议的锥体测试设备。
6. Design and Implementation of a RF Powering Circuit for RFID Tags or Other Batteryless Embedded Devices [O] . Dongsheng Liu, Rencai Wang, Ke Yao, 2014

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7. An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices [O] . Noblecourt, Sylvain, Morancho, Frédéric, Isoird, Karine, 2015

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